SRAM在新一代IoT和可穿戴嵌入式设计中的作用

上世纪90年代中期，英特尔决定把SRAM整合到自己的处理器中，这给世界各地的独立式SRAM供应商带来“灭顶之灾”。最大的SRAM市场(PC高速缓存)一夜之间销声匿迹，只留下少数细分市场应用。SRAM的“高性能存储器(访问时间短、待机功耗小)”价值主张因其较高的价格和容量限制(目前的最高容量是288Mb)而高度受限。由于SRAM每个单元有四到六个晶体管，几乎无法与DRAM和闪存竞争(这两种存储器每个单元只有1个晶体管);每个单元的晶体管数越少就意味着板容量和成本越低。因此，对构成98%的市场总额的传统存储应用而言，SRAM是一种不切现实的解决方案。

自英特尔开始嵌入SRAM以来，大多数SRAM供应商已经做出相应调整，或关闭工厂，或丰富SRAM之外的其它产品组合。对SRAM的运用则转向要求高性能的专门应用，主要包括工业、汽车和国防领域。SRAM的整体市场在2002年到2013年间的年均复合增长率(CAGR)为-13%。然而，若认为这种技术已经日薄西山还为时尚早。实际上，由于种种因素的作用，在未来几年我们预计将会看到长期被冷落的SRAM东山再起。在本文中，我们将探讨让SRAM重获新生的技术进步以及使之能够满足未来需求的SRAM技术发展趋势。

SRAM回归主流嵌入式设计

　　SRAM回归主流设计的动力非常耐人寻味，力图取代SRAM的潮流忽然发生逆转。英特尔决定嵌入SRAM，这在当时是个非常英明的决策。SRAM不仅成本效益更高，而且还是技术一流的解决方案。与外部SRAM相比，嵌入式SRAM的存取时间更为出色，要知道对于高速缓存存储器而言，存取时间是最关键的因素。

　　自那时起到现在，处理器功能变得更加强大，而且尺寸越来越小。随着处理器的功能日渐强大，它们要求高速缓存存储器性能也要有大幅改善。但与此同时，随着每一代新工艺节点的问世，不断增大嵌入式高速缓存存储器的容量成为一项越来越艰巨的挑战。SRAM拥有六晶体管架构(逻辑区一般为四晶体管/单元)。这意味着随着工艺节点的缩小，每平方厘米的晶体管数量将会极高。这样的高晶体管容量可能导致许多问题，包括：

　　发生软错误的几率增大：随着工艺技术从130nm缩小到22nm，软错误率预计将增长七倍。

　　产量降低：由于晶体管容量增大，加上位单元不断缩小，SRAM的面积更容易受工艺变化所造成的瑕疵的影响。这种瑕疵会降低处理器芯片的总产量。

　　功耗增加：如果SRAM位单元必须与逻辑位单元的大小相同，那么SRAM晶体管的尺寸就需要缩小到小于逻辑晶体管。而晶体管尺寸的缩小会导致漏电流增大，最终导致待机功耗增大。

　　有两种途径可以解决这个问题。一种方法是为处理器中或片上系统中的SRAM面积和逻辑面积采用不同的工艺技术节点。但这样做的后果则是处理器的大部分面积由SRAM构成。如果是这样，缩小处理器芯片的理由就无法成立。另一种方法则是把SRAM与处理器或控制器分开。有一些技术创新实际上正在加快这种替代方案的实现。

　　　　可穿戴电子产品中的SRAM

　　当今世界的微控制器(MCU)已经广泛应用于各种设备中。我们现今正在经历一个重大电子产品发展趋势，那就是可穿戴电子产品(图1)。对于智能手表和健康腕带这样的可穿戴产品来说，尺寸和功耗是关键因素。由于电路板尺寸受限，MCU必须精简小巧，并且能够借助便携式电池提供的微弱电力运行。

图1：可穿戴电子产品的要求正在推动SRAM的复兴

　　在上述要求下，片上高速缓存的容量相当有限。在将来的几代产品中，我们预计会看到可穿戴产品的功能将得到进一步丰富。这样一来，片上高速缓存的容量将不敷使用，从而带来对外部高速缓存的需求。在所有可用的存储器中，SRAM是用作外部高速缓存的最佳选择。因为它与DRAM相比待机电流消耗较低，而且其存取时间也比DRAM和闪存更短。

　　但是，要装配到微小的可穿戴产品电路板上，SRAM将需要进一步发展。对现有的并行SRAM而言，存在下列问题：

　　· 与MCU通信所需的引脚数过多;

　　· 尺寸过大，不适合PCB。

　　物联网和SRAM

　　过去几十年里，SRAM领域已衍生出两个不同的产品线：高速率和低功耗。每个产品线都有着各自特有的功能、应用和价格。需要使用SRAM的设备要么需要它的高速特性，要么需要它的低功耗特性，但从来不是两者兼具。然而，对采用便携式电源供电并用以执行复杂操作的高性能低功耗设备的需求正在不断增长。这种需求背后的动力来自新一代医疗设备、手持设备、消费类电子产品、通信系统以及工业控制器，这些设备均受物联网(IoT)驱动。

(编辑：mao35)