作为SDRAM家族的新一代内存产品，DDR3提供了相较DDR2 SDRAM更高的运行效能与更低的电压，是DDR2 SDRAM的后继者，也是现时受各大公司欢迎的内存产品规格。
DDR3产品最大的特性就在于功耗小且效率高，这让它迅速获得前代DDR的市场。究其高效率的关键，在于DDR3采用了相较于DDR2的1.8V更低的工作电压：1.35V。那么，如何才能够得到稳定高效的供电电压？如何又能够简单而有效地控制电压？
本文来源：MPS芯源半导体
为此，MPS重点推荐能够完美解决这一系列问题的高集成度芯片---NB685。
规格：3mm*3mm
如此小巧的身躯，又是如何能够承担起如此艰巨的任务呢？
NB685简约而不简单，只需要简单而又不占太大空间的外部电路，即可有效地控制供电电压，使其能够为诸如DDR3, DDR3L, LPDDR3, DDR4等内存供电。并且输出电压可调节，只要微调外部电路即可。
当然，NB685在出色完成基本任务的同时，本着精益求精的原则，始终走在同行业的前列，拥有诸如以下优势：
1强大的负载能力
能够承受12A的持续输出电流，以及13A的瞬时输出电流；1%的VTTREF输出电压精度；
2极大地消除工作噪声
NB685拥有USM MODE（超音频模式），即使在低负载工作也不会造成声音污染；
3超低的静态电流（135uA）
使芯片在待机过程中不产生过多的能源损耗，极大的提高了工作效率；
即使是低负载工作状态，也能够维持在60%以上的效率！
正常工作效率最高能够达到90%以上！
4采用COT控制原理
完美平衡了高频状态下的稳定性与动态响应性能之间的矛盾关系；
5周全的保护电路
诸如过流保护、过温保护、高低压保护之类的芯片保护设计，极大程度地降低了芯片在恶劣环境或者突发事故中的损坏率，更好的为芯片保驾护航。
输出短路测试
即使在输出短路下，芯片的电流一直能够控制在13A左右而不损坏芯片！
应用领域：
(编辑：mao35 来源：网络整理)
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